Daha geniş bant aralıklarına sahip yarı iletkenler, çok daha yüksek voltajları kaldırabilen daha küçük ve daha verimli elektroniklerin önünü açabilir; ancak bu aralık ne kadar genişlerse, bir malzemenin elektriği ne kadar iyi ilettiğini kontrol etmek o kadar zorlaşır.
Şimdi, Cornell Üniversitesi'nden Darrell Schlom liderliğindeki bir ekip, alüminyum galyum oksit ince filmlerine silikon eklemenin, bu kontrolü daha öncekinden çok daha geniş yarı iletken bant aralıklarında koruyabileceğini gösterdi. Araştırmaları Nature dergisinde yayınlandı.



